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STL8N10F7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道100 V、0.017 Ohm典型值、35 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STL8N10F7	文件：619.13 Kbytes Page：14 Pages	High avalanche ruggedness 文件：619.13 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STL90N10F7	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DFN5X6	ST/意法上传：深圳市富芯乐电子科技有限公司	ST/意法
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST QFN8	ST 上传：深圳市赛特兴科技有限公司	ST
STLD40DPUR	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM QFN8	STM 信盛上传：深圳市力拓辉电子有限公司	STM

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更多STL8N10F7供应商更新时间2025-10-12 14:14:00