首页>STL86N3LLH6AG>规格书详情
STL86N3LLH6AG数据手册ST中文资料规格书
STL86N3LLH6AG规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Logic level
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL86N3LLH6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：30
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.0076
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0052
- Drain Current (Dc)_max(A)
：80
- PTOT_max(W)
：60
- Qg_typ(nC)
：17
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
PowerFLAT 2x2 |
12500 |
ST系列在售,可接长单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DFN5X6 |
3248 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
