汽车级N沟道30 V、4 mOhm典型值、80 A STripFET H6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages. • AEC-Q101 qualified \n• Very low on-resistance \n• Very low gate charge \n• High avalanche ruggedness \n• Low gate drive power loss \n• Logic level \n• Wettable flank package;

ST

意法半导体

High avalanche ruggedness

文件：1.00926 Mbytes 页数：16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

ST/意法
DFN5X6

ST/意法

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ST
QFN8

ST

上传：深圳市赛特兴科技有限公司

STM
QFN8

STM

信盛

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