STL8N65M2数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
STL8N65M2 |
| 参数属性 | STL8N65M2 包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV |
| 功能描述 | N沟道650 V、1 Ohm典型值、4 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 原厂标识 | ST |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 14:51:00 |
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STL8N65M2规格书详情
描述 Description
This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
特性 Features
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener-protected
简介
STL8N65M2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的STL8N65M2晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：STL8N65M2
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 HV
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：650
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：1.25
- Drain Current (Dc)_max(A)
：4
- PTOT_max(W)
：48
- Qg_typ(nC)
：9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
18+ |
QFN |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-3.3x3.3-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
19587 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
ST |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
ST |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
STM |
18+ |
3000 |
PowerFLAT 5x6 HV |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
10+ |
QFN |
30 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
23+ |
PowerFl |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |
