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STL8DN6LF6AG规格书详情
描述 Description
This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low on-resistance
• Very low gate charge
• High avalanche ruggedness
• Low gate drive power loss
• Wettable flank package
技术参数
- 制造商编号
：STL8DN6LF6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 double island WF
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：60
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.031
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.027
- Drain Current (Dc)_max(A)
：9.6
- PTOT_max(W)
：32
- Qg_typ(nC)
：27
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2450+ |
DFN5X6-8 |
6540 |
只做原厂原装正品现货或订货!终端工厂可以申请样品! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
原厂 |
24+ |
N/A |
10000 |
只做现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
8PowerVDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
DFN |
6000 |
原装正品 |
询价 | ||
ST |
24+ |
PowerFLAT 5x6 double island WF |
300 |
鍙仛鍘熻鐜拌揣锛佸亣涓€璧斿崄锛佹杩庣湅楠岃 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2020+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
7600 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
