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STL9N80K5中文资料N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package数据手册ST规格书

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厂商型号

STL9N80K5

参数属性

STL9N80K5 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

功能描述

N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package
MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-12-6 23:01:00

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STL9N80K5规格书详情

描述 Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area
• Industry’s best FoM (figure of merit)
• Ultra-low gate charge
• 100% avalanche tested
• Zener-protected

简介

STL9N80K5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由ST制造生产的STL9N80K5晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    STL9N80K5

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 系列:

    MDmesh™ K5

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    7A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 功率耗散(最大值):

    110W(Tc)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    PowerFlat™(5x6)

  • 封装/外壳:

    8-PowerVDFN

  • 描述:

    MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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