STL9N80K5_分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个-意法半导体

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厂家型号：
STL9N80K5
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个
封装外壳：
8-PowerVDFN
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-27 16:02:00

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原厂料号：STL9N80K5品牌：STMicroelectronics

资料说明：MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

STL9N80K5是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装8-PowerVDFN的STL9N80K5晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

芯片型号：
stl9n80k5
规格书：
下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
资料说明：
MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

产品属性

类型
描述
产品编号：
STL9N80K5
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列：
MDmesh™ K5
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
功率耗散（最大值）：
110W（Tc）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
PowerFlat™（5x6）
封装/外壳：
8-PowerVDFN
描述：
MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

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STL9N80K5_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-单个-意法半导体

STL9N80K5

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