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STL120N4LF6AG

High avalanche ruggedness

文件:935.12 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL120N8F7

High avalanche ruggedness

文件:780.48 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL120NH02V

N-channel 20V - 0.0025ohm - 120A - PowerFLAT(6x5) STripFETIII Power MOSFET

文件:239.56 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL128D

Low spread of dynamic parameters

文件:631.54 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL128DFP

Low spread of dynamic parameters

文件:631.54 Kbytes 页数:12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL12N60M2

N-channel 600 V, 0.400 廓 typ., 6.5 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package

文件:474.31 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL12N65M2

Zener-protected

文件:472.58 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL12P6F6

P-channel 60 V, 0.13 typ., 3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

文件:601.04 Kbytes 页数:13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL12P6F6

丝印:AP50P10NF;Package:DFN5X6-8L;-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:2.63234 Mbytes 页数:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

STL12S03F

2W Single Output Surface

文件:146 Kbytes 页数:2 Pages

SUPERWORLD

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    40

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0036

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    55

  • PTOT_max(W):

    96

  • Qg_typ(nC):

    63

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更多STL12供应商 更新时间2025-10-8 14:04:00