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STL120N8F7

N沟道80 V、3.7 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

STL120N8F7

High avalanche ruggedness

文件:780.48 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL130N6F7

POWERFLAT5X6

ST/意法

STL24N60M2

QFN

ST

STL50DN6F7

DFN5X6

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    80

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0044

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    120

  • PTOT_max(W):

    200

  • Qg_typ(nC):

    60

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更多STL120N8F7供应商 更新时间2025-12-1 9:19:00