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STH22N95K5-2AG中文资料Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package数据手册ST规格书

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厂商型号

STH22N95K5-2AG

功能描述

Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 9:29:00

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STH22N95K5-2AG规格书详情

描述 Description

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。

特性 Features

• 通过AEC-Q101认证
• 业界领先的低 RDS(on) x 面积
• 业界出色的品质因数(FoM)
• 极低的栅极电荷
• 经过100%雪崩测试
• 稳压保护

技术参数

  • 制造商编号

    :STH22N95K5-2AG

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :H2PAK-2

  • Grade

    :Automotive

  • VDSS(V)

    :950

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.33

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :17.5

  • PTOT_max(W)

    :250

  • Qg_typ(nC)

    :48

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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