Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 package

这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新型专有垂直结构为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。 • 通过AEC-Q101认证 \n• 业界领先的低 RDS(on) x 面积 \n• 业界出色的品质因数（FoM） \n• 极低的栅极电荷 \n• 经过100％雪崩测试 \n• 稳压保护;

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意法半导体

丝印：22N95K5；Package：HPPAK-2；Automotive N-channel 950 V, 0.280 廓 typ., 17.5 A MDmesh??K5 Power MOSFET in an H짼PAK-2 package

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