首页>STGB20M65DF2>规格书详情
STGB20M65DF2中文资料沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗数据手册ST规格书
STGB20M65DF2规格书详情
描述 Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特性 Features
• High short-circuit withstand time
• VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
• Tight parameters distribution
• Safer paralleling
• Low thermal resistance
• Soft and very fast recovery antiparallel diode
技术参数
- 制造商编号
：STGB20M65DF2
- 生产厂家
：ST
- Package
：D2PAK
- Grade
：Industrial
- VCES_max(V)
：650
- PTOT_max(W)
：166
- Freewheeling diode
：true
- IC_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IC_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- IF_max(@ Tc=100°C)(A)
：20
- IF_max(@ Tc=25°C)(A)
：40
- VCE(sat)_typ(V)
：1.55
- VF_typ(V)
：1.85
- Qg_typ(nC)
：63
- Eon_typ(mJ)
：0.14
- Eoff_typ(mJ)
：0.56
- Err_typ(µJ)
：81
- Qrr_typ(nC)
：690
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
21+ |
TO-263 |
30000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
D2PAK |
32000 |
ST/意法全新特价STGB20M65DF2即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-263 |
2000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
TO-263 |
询价 | ||
ST/意法 |
21+ |
TO-263 |
20000 |
优势供应 实单必成 可开增值税13点 |
询价 | ||
ST |
22+ |
D2PAK |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
D2PAK-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 |
