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STB10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STD10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STF10N60M2	文件：657.32 Kbytes Page：13 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFH10N60M2	文件：1.15351 Mbytes Page：12 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STL10N60M2	文件：1.02603 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.580廓typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusinganewgenerationofMDmesh™ technology:MDmeshIIPlus™lowQg.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesa verticalstructuretothecompany'sstriplayoutto yieldoneoftheworld'sloweston-resistanceand gatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STP10N60M2	文件：1.10783 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STU10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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中科航电（深圳）电子集团有限公司	STF10N60M2(10N60M2)	ST		TO-220	93480	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市瑞浩芯科技有限公司	STF10N60M210N60M2	ST	20+	TO-220F	25000	全新原装现货,假一赔十	询价
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深圳市天芯威科技有限公司	STF10N60M210N60M2	ST	22+	TO-220F	30000	原装正品	询价
深圳市远进半导体有限公司	STF10N60M210N60M2	ST	22	TO-220F	25000	3月31原装,微信报价	询价
深圳市吉中创电子科技有限公司	STF10N60M210N60M2	ST	23+	TO-220F	25000	原厂/代理渠道价格优势	询价
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深圳廊盛科技有限公司	STF10N60M2MOS(场效应管)	ST/意法	2022	TO-220F	80000	原装现货,OEM渠道,欢迎咨询	询价
深圳市云美电子科技有限公司	STF10N60M2MOS(场效应管)	ST/意法	22+	TO-220FP	34137	只做原装进口现货	询价

更多STF10N60M2(10N60M2)供应商更新时间2024-6-16 17:08:00

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