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STN3NF06L

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟電子台舟電子股份有限公司

TECHPUBLIC

STN3NF06L

N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET??II POWER MOSFET

Description ThisPowerMOSFETisthelatestdevelopmentofSTMicroelectronicsunique“singlefeaturesize”strip-basedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristicsandlesscriticalalignmentstepsthereforearemar

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

STN3NF06L

N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

STN3NF06L

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

STN3NF06L_08

N-channel 60 V, 0.07 廓, 4 A, SOT-223 STripFET??II Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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3NF06L

N-channel60V,0.07廓,4A,SOT-223STripFET??IIPowerMOSFET

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STN3NF06

N-CHANNEL60V-0.07ohm-4ASOT-223STripFET??IIPOWERMOSFET

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STN3NF06

Digitalconstant-currentcontroller

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详细参数

  • 型号:

    STN3NF06L

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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