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STD10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel 600 V, 0.550 typ., 7.5 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10N60M2	文件：299.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STF10N60M2	文件：657.32 Kbytes Page：13 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STFH10N60M2	文件：1.15351 Mbytes Page：12 Pages	Extremelylowgatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STL10N60M2	文件：1.02603 Mbytes Page：16 Pages	N-channel600V,0.580廓typ.,5.5AMDmeshIIPlus??lowQgPowerMOSFETinaPowerFLAT??5x6HVpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusinganewgenerationofMDmesh™ technology:MDmeshIIPlus™lowQg.This revolutionaryPowerMOSFETassociatesa verticalstructuretothecompany'sstriplayoutto yieldoneoftheworld'sloweston-resistanceand gatecharge	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10N60M2	文件：1.10783 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STP10N60M2	文件：372.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU10N60M2	文件：317.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STU10N60M2	文件：1.63832 Mbytes Page：24 Pages	N-channel600V,0.550typ.,7.5AMDmeshIIPluslowQgPowerMOSFETsinD짼PAK Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusinganewgenerationofMDmesh™technology:MDmeshIIPlus™lowQg.TheserevolutionaryPowerMOSFETsassociateaverticalstructuretothecompanysstriplayouttoyieldoneoftheworldsloweston-resistanceandgatecharge.They	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
STD10N60M2
制造商：
STMicroelectronics
功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
功能描述：
STD10N60M2 Series 600 V 7.5 A 0.6 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-252-3
功能描述：
MOSFET N-Channel 600V 7.5A DPAK
功能描述：
600V,0.56,7.5A,N-Channel Power MOSFET
功能描述：
N-channel 600V,0.56Ohm,7.5A Power MOSFET

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