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STBV22W300AY2	文件：1.03142 Mbytes Page：5 Pages	Gallium Nitride 50V, 300W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor Description The STBV22W300AY2 is a single ended 300watt, GaN HEMT, ideal for applications from 1.8 to 2.2GHz. It is an input and output matched transistor, and There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  L/S band power amplifier 文件：1.03142 Mbytes 页数：5 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STBV32其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
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更多STBV22W300AY2供应商更新时间2026-2-9 10:01:00