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STBV50100G2	文件：1.13148 Mbytes Page：6 Pages	Gallium Nitride 50V, 100W,4.4-5GHz RF Power Transistor Description The STBV50100G2 is a single ended 100watt, GaN HEMT, ideal for 5G NR applications from 4.4-5GHz It is an internally matched transistor capable of supporting CW, pulse or any modulated signal. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. 文件：1.13148 Mbytes 页数：6 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STC
STC10F04XE-35I-LQFP44G	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC
STC10F04XE-35I-PDIP40	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP40	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC
STC10F04XE-35I-PLCC44	文件：0 bytes Page：0 Pages	PLCC	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC

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