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STBV22W300AY2
厂商型号

STBV22W300AY2

功能描述

Gallium Nitride 50V, 300W,1.8-2.2GHz RF Power Transistor

文件大小

1.03142 Mbytes

页面数量

5

生产厂商 Innogration Technologies, Inc.
企业简称

INNOGRATION远创达科技

中文名称

远创达科技官网

原厂标识
INNOGRATION
数据手册

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更新时间

2025-8-4 13:43:00

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STBV22W300AY2规格书详情

描述 Description

The STBV22W300AY2 is a single ended 300watt, GaN HEMT, ideal for applications from 1.8 to 2.2GHz.

It is an input and output matched transistor, and There is no guarantee of performance when this part is

used outside of stated frequencies.

Applications

 L/S band power amplifier

 5G base station amplifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
ROHS+Original
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