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STBV36135AY2	文件：1.08732 Mbytes Page：5 Pages	Gallium Nitride 50V, 135W,3.3-3.8GHz RF Power Transistor Description The STBV36135AY2 is a single ended 135watt, GaN HEMT, ideal for applications from 3.3 to 3.8GHz. It is an input matched transistor capable to support CW, pulse or any modulated signal. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Appl 文件：1.08732 Mbytes 页数：5 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
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更多STBV36135AY2供应商更新时间2026-1-28 11:07:00