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STBV42130C9	文件：1.94161 Mbytes Page：7 Pages	GaN HEMT 50V, 130W,3.7-4.2GHz Full band RF Power Transistor Description The STBV42130C9 is a dual path 130watt,Internally matched GaN HEMT, ideal for applications from 3.7 to 4.2GHz full band operation especially for LTE/5G. There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  Asymmetrical Doherty 文件：1.94161 Mbytes 页数：7 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STC10F04XE	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	STC
STC10F04XE-35I-LQFP44G	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP44	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC
STC10F04XE-35I-PDIP40	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP40	STCSTCmicro Technology Co,.Ltd 宏晶科技北京宏晶科技有限公司上传：深圳市亿盛嘉业电子有限公司	STC
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更多STBV42130C9供应商更新时间2026-1-28 14:30:00