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STBV38100E2	文件：1.29031 Mbytes Page：7 Pages	Gallium Nitride 50V, 100W, 0.1-4.2GHz RF Power Transistor Description The STBV38100E2 is a 100watt, GaN HEMT, ideal for general applications from 0.1 to 4.2GHz. It can support CW, pulse or any modulated signal. It features high gain, wide band and low cost, in 6.5*6.5mm ceramic package with copper flange. Its gullwing leads enable surface mounted on 文件：1.29031 Mbytes 页数：7 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
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更多STBV38100E2供应商更新时间2026-1-20 8:31:00