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STB18N20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.145 Ω ■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW GATE CHARGE ■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWE

文件:126.95 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB18N20

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

ST

意法半导体

UT18N20

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.81671 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

WFP18N20

Silicon N-Channel MOSFET

文件:565.34 Kbytes 页数:7 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    STB18N20

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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更多STB18N20供应商 更新时间2026-1-21 17:26:00