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1N60SW	文件：233.38 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES •Highreliability •Lowforwardvoltageandreversecurrent APPLICATIONS •Forelectroniccalculator,etc. •Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N60Z	文件：249.77 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC1N60ZisahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowers	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOD1N60	文件：1.52158 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD1N60	文件：349.98 Kbytes Page：6 Pages	600V,1.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD1N60	文件：310.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD1N60	文件：1.0859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD1N60	文件：151.81 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,600VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI1N60	文件：318.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI1N60	文件：349.98 Kbytes Page：6 Pages	600V,1.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT1N60	文件：305.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT1N60	文件：140.19 Kbytes Page：5 Pages	1.3A,600VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU1N60	文件：151.81 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,600VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU1N60	文件：349.98 Kbytes Page：6 Pages	600V,1.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU1N60	文件：318.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BLV1N60	文件：402.62 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
BLV1N60A	文件：402.25 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	ESTEKEstek Electronics Co. Ltd Estek Electronics Co. Ltd	ESTEK
BR1N60	文件：1.07163 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRD1N60	文件：1.52193 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
BRD1N60	文件：846.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-252PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BRF1N60	文件：998.78 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
SSS1N60B
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/0.7a/12Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SSS1N60B供应商更新时间2024-5-27 16:45:00

详细参数

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