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1N60SW	文件：233.38 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode FEATURES •Highreliability •Lowforwardvoltageandreversecurrent APPLICATIONS •Forelectroniccalculator,etc. •Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
1N60Z	文件：249.77 Kbytes Page：6 Pages	1.2A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC1N60ZisahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpowers	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOD1N60	文件：151.81 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,600VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD1N60	文件：1.0859 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD1N60	文件：310.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD1N60	文件：1.52158 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOD1N60	文件：349.98 Kbytes Page：6 Pages	600V,1.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI1N60	文件：318.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI1N60	文件：349.98 Kbytes Page：6 Pages	600V,1.3AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT1N60	文件：140.19 Kbytes Page：5 Pages	1.3A,600VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
1N60SW
制造商：
SEMTECH_ELEC
制造商全称：
SEMTECH ELECTRONICS LTD.
功能描述：
Schottky Barrier Diode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市腾亿芯科技有限公司	1N60SW	ST	25+	SOD-123	16900	原装，请咨询	询价
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更多1N60SW供应商更新时间2025-7-25 16:30:00

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