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AOD1N60

600V,1.3A N-Channel MOSFET

文件:349.98 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD1N60

丝印:DPAK;Package:TO-252;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:310.1 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOD1N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.0859 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AOD1N60

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.52158 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

AOD1N60

1.3A, 600V N-Channel MOSFET

文件:151.81 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOD1N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V,1.3A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOD1N60_11

600V,1.3A N-Channel MOSFET

文件:349.98 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    TO252

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    1.30

  • PD @ 25°C (W):

    45

  • 10V:

    9000

  • Qg (10V)(nC):

    6.10

  • VGS(th) max (V):

    5

  • Ciss (pF):

    130

  • Coss (pF):

    14.50

  • Crss (pF):

    1.80

  • Qgd (nC):

    3.10

  • tD(on) (ns):

    10

  • tD(off) (ns):

    20

  • Trr (ns):

    114

  • Qrr (nC):

    630

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOD1N60供应商 更新时间2025-12-24 10:21:00