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CEM9435	文件：815.02 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=95mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM9435	文件：496.2 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-5.3A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEM9435A	文件：499.65 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES ■-30V,-5.3A,RDS(ON)=50mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=90mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET9435A	文件：503.35 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CET9435A	文件：501.99 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-5.3A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-223package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHM9435AJPT	文件：325.34 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CHM9435AZPT	文件：331.97 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJQ9435	文件：3.38563 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
CJQ9435	文件：1.74831 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CJQ9435	文件：858.14 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
CMT9435G	文件：469.2 Kbytes Page：7 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET	CHAMPChampion Microelectronic Corp. 虹冠虹冠电子	CHAMP
CRIO-9435	文件：200.23 Kbytes Page：3 Pages	CompactRIODigitalInputandCounter/TimerModules	NI National Instruments Inc.	NI
DMJT9435	文件：107.93 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •LowCollector-EmitterSaturationVoltage •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DTM9435	文件：350.19 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
DTM9435	文件：1.21129 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
DTM9435	文件：1.59144 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFETHalogen-free	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FDS9435A	文件：66.22 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationsrequiringawiderangeofgavedrivevoltageratings(4.5V–25V). Features ·–5.3A,–30VRDS(ON)=50	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS9435A-NL	文件：961.34 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDS9435-NL	文件：961.33 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FTK9435	文件：335.86 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerandcurrenthandingcapability	FS First Silicon Co., Ltd	FS

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详细参数

型号：
SSM9435GH
制造商：
SSC
制造商全称：
Silicon Standard Corp.
功能描述：
P-channel Enhancement-mode Power MOSFET

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更多SSM9435GH供应商更新时间2024-6-18 14:30:00

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