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SSM3K7002CFU	文件：211.48 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM3K7002F	文件：1.00467 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SSM3K7002FU	文件：1.01475 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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SSM3K7002KF	文件：231.24 Kbytes Page：8 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS 1.Applications •High-SpeedSwitching 2.Features (1)AEC-Q101qualified(Pleaseseetheorderablepartnumberlist) (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=1.05Ω(typ.)(@VGS=10V) RDS(ON)=1.15Ω(typ.)(@VGS=5.0V) RDS(ON)=1.2Ω(typ.)(@VGS=4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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详细参数

型号：
SSM3K7002BSU
功能描述：
MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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