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SSM6J501NU

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

SSM6J501NU

PowerManagementSwitchApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    SSM6J501NU,LF

  • 功能描述:

    MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
23+
NA
2221
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TOSHIBA/东芝
23+
QFN
35680
只做进口原装QQ:373621633
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TOSHIBA/东芝
20+
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56200
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65200
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更多SSM6J501NU,LF供应商 更新时间2025-7-16 17:17:00