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SSM3K7002F	文件：163.89 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications 文件：163.89 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002F	文件：277.12 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications 文件：277.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002F	文件：1.00467 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.00467 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K7002F_05	文件：277.12 Kbytes Page：5 Pages	High-Speed Switching Applications 文件：277.12 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002FU	文件：1.01475 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.01475 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SSM3K7002FU	文件：162.47 Kbytes Page：5 Pages	丝印：NC；Package：SOT-323；High Speed Switching Applications 文件：162.47 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
SSM3K7002F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID 0.2 A \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
SSM3K7002FU	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Low ON resistance MOSFETs Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Drain current ID 0.2 A \nDrain-Source voltage VDSS 60 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba

技术参数

Product Category：
Small Low ON resistance MOSFETs
Package name(Toshiba)：
S-Mini
Recommended Product 1：
T2N7002AK(Almost same characteristics but different package)
Recommended Product 2：
SSM3K7002CFU(Almost same characteristics but different package)

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更多SSM3K7002F供应商更新时间2025-10-4 14:08:00

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