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SSM3J305T	文件：168.46 Kbytes Page：6 Pages	Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications High-SpeedSwitchingApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=477mΩ(max)(@VGS=−4V) Ron=237mΩ(max)(@VGS=−10V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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SSM3J305T

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Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications

High-SpeedSwitchingApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=477mΩ(max)(@VGS=−4V) Ron=237mΩ(max)(@VGS=−10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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Bipolar Small-Signal Transistors

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东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

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详细参数

型号：
SSM3J305T
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type High-Speed Switching Applications

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