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IRL3103LPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103PBF	文件：190.11 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103PBF	文件：190.11 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103S	文件：263.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL3103S	文件：100.38 Kbytes Page：17 Pages	5-BITPROGRAMMABLESYNCHRONOUSBUCK,NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLELDOAND200mAON-BOARDLDO DESCRIPTION TheIRU3007controllerICisspecificallydesignedtomeetIntelspecificationforPentiumIIämicroprocessorapplicationsaswellasthenextgenerationofP6familyprocessors.TheIRU3007providesasinglechipcontrollerICfortheVcore,LDOcontrollerforGTL+andaninternal20	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103S	文件：125.18 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=12mohm,Id=64A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103SPBF	文件：648.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRL3103SPBF	文件：656.95 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLI3103	文件：153.22 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLR3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103TR	文件：215.97 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLR3103TRPBF	文件：1.14288 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRLRU3103PBF	文件：292.56 Kbytes Page：11 Pages	Logic-LevelGateDrive Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLRU3103PBF	文件：291.6 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3103	文件：164.75 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.019ohm,Id=46A??	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRLU3103	文件：247.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多SPI-3103供应商更新时间2024-5-26 14:40:00

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