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SPD04P10PG	文件：479.95 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：479.95 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PG	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：831.09 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PG	文件：1.04866 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04866 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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SPD04P10PLG	文件：463.13 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：463.13 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
6000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
0.8A
Ptot max：
11.0W
IDpuls max：
1.6A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
3.9nC
Rth ：
11.0K/W
RthJC max：
11.0K/W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	sPD	DIODES/美台	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
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