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SPD08P06P	文件：598.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：598.62 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD08P06P	文件：113.94 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS Power-Transistor 文件：113.94 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD08P06P_08	文件：598.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：598.62 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD08P06PG	文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages	丝印：08P06P；Package：PG-TO252-3；SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：605.25 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD08P06PG	文件：598.62 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：598.62 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD08P06PG_12	文件：605.25 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：605.25 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD0902SMS	文件：108.67 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：108.67 Kbytes 页数：2 Pages	SSDI	SSDI

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技术参数

VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
6000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
0.8A
Ptot max：
11.0W
IDpuls max：
1.6A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
3.9nC
Rth ：
11.0K/W
RthJC max：
11.0K/W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SPD供应商更新时间2025-10-4 11:01:00

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