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SPD	文件：234.05 Kbytes Page：1 Pages	Over Voltage & Under Voltage Cut-Off With Surge Protection Device OVCDFeatures •ExtendsTheLifeOfYourFixtureByEliminating TemporaryOver/UnderVoltagesthatCan HarmSensitiveElectronicComponents •Over6,000OperationsPerProductLifetime •SafeRestore™ -30SecondDelayonPower-Up -InstantDroponOver/UnderVoltageCondition -30SecondDel	ABLEPOWERPRODUCTS ABLE Power Products	ABLEPOWERPRODUCTS
SPD	文件：57.78 Kbytes Page：2 Pages	C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications Features •Verysmall-sizedceramicpackage •Lessparasiticcomponents,conversionloss •Manytypes:5singletypes,10integratedtypes	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SPD	文件：75.77 Kbytes Page：2 Pages	20 Amp 50-400 Volt 120 nsec FAST RECOVERY RECTIFIER Features: •FastRecovery:120nsecmaximum •LowReverseLeakageCurrent •SingleChipConstruction •PIVto400V •HermeticallySealed •HighSurgeRating •LowThermalResistance •HigherVoltageDevicesAvailable–ContactFactory •ForReversePolarityAddSuffix“R” •Replacementfor	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPD	文件：939.34 Kbytes Page：4 Pages	Compact, High-Performance String Pot Dual Ouput to 50	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
SPD01N60C3	文件：1.08866 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SPD01N60C3	文件：279.9 Kbytes Page：10 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD01N60C3	文件：910.3 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N50C3	文件：267.56 Kbytes Page：11 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPD02N50C3	文件：335.21 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SPD02N50C3	文件：1.07867 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
SPD
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
C to Ku Band Mixer, Detector, Modulator Applications

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