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SPD04P10PLG	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：777.71 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PLG	文件：1.04763 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04763 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD05	文件：412.82 Kbytes Page：4 Pages	Switching Power Supply Type SPD 18W DIN rail mounting 文件：412.82 Kbytes 页数：4 Pages	CARLOGAVAZZI 佳乐	CARLOGAVAZZI
SPD05	文件：366.57 Kbytes Page：4 Pages	Switching Power Supply Type SPD 10W DIN rail mounting 文件：366.57 Kbytes 页数：4 Pages	CARLOGAVAZZI 佳乐	CARLOGAVAZZI
SPD05	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	Switching Power Supply Type SPD 5W DIN rail mounting 文件：159.27 Kbytes 页数：4 Pages	CARLOGAVAZZI 佳乐	CARLOGAVAZZI
SPD05	文件：326.68 Kbytes Page：4 Pages	Type SPD 60W Type SPD 60W DIN rail mounting 文件：326.68 Kbytes 页数：4 Pages	CARLOGAVAZZI 佳乐	CARLOGAVAZZI
SPD06N03LA	文件：902.42 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET 文件：902.42 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD06N60C3	文件：401.49 Kbytes Page：11 Pages	Ultra low gate charge 文件：401.49 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD06N60C3	文件：642.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor 文件：642.41 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD06N60C3_08	文件：642.41 Kbytes Page：11 Pages	CoolMOSTM Power Transistor 文件：642.41 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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技术参数

VDS max：
600.0V
RDS (on) max：
6000.0mΩ
Polarity ：
N
ID max：
0.8A
Ptot max：
11.0W
IDpuls max：
1.6A
VGS(th) min max：
2.1V 3.9V
QG ：
3.9nC
Rth ：
11.0K/W
RthJC max：
11.0K/W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	SPD02N60S5	INFINEON	25+	TO-252	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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