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SPD04P10P	文件：831.09 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：831.09 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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SPD04P10PG	文件：479.95 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：479.95 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PG	文件：1.04866 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04866 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD04P10PL	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：777.71 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PLG	文件：463.13 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor 文件：463.13 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PLG	文件：777.71 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOS짰 Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode 文件：777.71 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PLG	文件：1.04763 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：1.04763 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SPD04P10P	文件：300 bytes Page：1 Pages	SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD04P10PL G	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V-250V P-Channel Power MOSFET 英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 小信号封装，经 AEC Q101 认证\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
SPD04P10PGBTMA1
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)
VDS max：
-100 V
RDS (on) @10V max：
1000 mΩ
ID @25°C max：
-4 A
QG typ @10V：
9 nC
Polarity：
P
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
VGS(th) min：
-2.1 V
VGS(th) max：
-4 V
Technology：
SIPMOS™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SPD04P10P	INFINEON/英飞凌	25+	TO-252	20300	INFINEON/英飞凌原装特价SPD04P10P即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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深圳航星空电子技术有限公司	SPD04P10P	Infineon(英飞凌)	23+	标准封装	7000	公司只做原装，可来电咨询	询价
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更多SPD04P10P供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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