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SPA06N80C3	文件：375.52 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：481.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：254.15 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor CoolMOS™PowerTransistor Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance •P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3_08	文件：375.52 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3_11	文件：481.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitances •Fullyisolatedpackage(250	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SPA06N80C3	文件：681.15 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
EMD06N80F	文件：173.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS800V RDSON(MAX.)1.65Ω ID6A UIS,100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE

详细参数

型号：
SPA06N80
功能描述：
MOSFET MOSFET N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SPA06N80供应商更新时间2024-9-24 14:01:00

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