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SPA06N80C3	文件：254.15 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS??Power Transistor Cool MOS™ Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) 文件：254.15 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3	文件：375.52 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • Fully isolated package (250 文件：375.52 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3	文件：481.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • Fully isolated package (250 文件：481.47 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3	文件：681.15 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS??Power Transistor 文件：681.15 Kbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。\n 800V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品，于 2001 年上市。C3 是产品组合中的主力军。特定导通电阻低（R DS（on）* A）\n • 输出电容为（E oss）@ 400V 时，能量储存非常低\n• 低栅极电荷(Qg)\n• 经过实践认证的 CoolMOS™ 质量\n• 自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™ 技术\n\n优势:\n• 高效率，高功率密度\n• 超高成本/性能比\n• 高可靠性\n• 使用方便\n ;	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3_08	文件：375.52 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • Fully isolated package (250 文件：375.52 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA06N80C3_11	文件：481.47 Kbytes Page：10 Pages	CoolMOSTM Power Transistor Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • Fully isolated package (250 文件：481.47 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
SPA06N80C3XKSA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
PG-TO220-3
VDS max：
800 V
RDS (on) @10V max：
900 mΩ
ID @25°C max：
6 A
QG typ @10V：
27 nC
Special Features：
price/performance
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
3.9 V
Technology：
CoolMOS™ C3

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