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EMD06N80F	文件：173.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 800V RDSON (MAX.) 1.65Ω ID 6A UIS, 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：173.25 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD06N80F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-N Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
H06N80F	文件：733.06 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：733.06 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
H06N80T	文件：732.91 Kbytes Page：7 Pages	800V N-Channel MOSFET Features: • Fast switching speed • 100% avalanche tested • Improved dv/dt capability • Enhanced Avalanche Ruggedness • Lead Free Applications: • Switch Mode Power Supply(SMPS) • Adapter & Charger • AC-DC Switching Power Supply 文件：732.91 Kbytes 页数：7 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN

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更多EMD06N80F供应商更新时间2026-3-17 20:02:00