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SI4800DY	文件：56.32 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Reducded Qg, Fast Switching MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI4800DY-T1-E3	文件：1.00694 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800	文件：132.97 Kbytes Page：2 Pages	UltraPrecisionBulkMetalFilmResistors	WELWYN Welwyn Components Limited	WELWYN
4800	文件：1.01357 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800	文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages	Idealresistorforprecisioninstrumentation	TTELECTT Electronics. 梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
4800	文件：303.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelReducdedQg,FastSwitchingMOSFET	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
4800AGM	文件：1.00673 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800AGM-HF	文件：1.00672 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800AM	文件：1.00664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800AX	文件：337.39 Kbytes Page：1 Pages	TUBEAXIAL Tubeaxial	EBMPAPST ebm-papst	EBMPAPST
4800B	文件：227.9 Kbytes Page：1 Pages	ThinFilmMediumBodyGullWing Features ■Leadfreeversionsavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■Increasedleaddensity ■Customcircuitsavailableperfactory	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4800B	文件：364.21 Kbytes Page：3 Pages	ThickFilmSurfaceMountedMediumBody	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
4800BGM	文件：1.00664 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800BGM-HF	文件：1.0076 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800CGM	文件：1.00663 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4800CGM-HF	文件：1.00666 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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4800M	文件：1.00655 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
SI4800DY
功能描述：
MOSFET 30V 9A 2.5W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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