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SI4812DY-T1-E3 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：57.17 Kbytes 页数：5 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
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SSOP24 | SILICON LABS/芯科 上传：深圳庞田科技有限公司 | SILICON LABS/芯科 | ||
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详细参数
- 型号：
SI4812DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30V 9A 2.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
26200 |
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VISHAY/威世 |
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SOP8 |
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SOP |
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更新时间2026-2-8 9:12:00
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