| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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SILICONIXSOP8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
6000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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SISOP/8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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SILICONIXSOP8 |
3550 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
19000 |
1026+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
32536 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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SILICONIXSOP8 |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SISOP/8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
4326 |
新批次 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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SILICONIXSOP8 |
399000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SOP |
2700 |
22+ |
全新原装自家现货优势! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SI贴片 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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SILICONSOP8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SISOP8 |
10200 |
00+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VISHAY原包装 |
3000 |
原装正品!假一罚十!现货库存热卖 |
SI4833DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4833DY图片
SI4833DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4833DY功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DY_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DYT1制造商:VISHAY 功能描述:30V 3.5A 2W
SI4833DY-T1功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
