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SI4808DY-T1-E3	文件：1.05138 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC 文件：1.05138 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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更多SI4808DY-T1-E3供应商更新时间2026-2-8 14:14:00