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SI4800DY-T1-E3

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch

文件:1.00694 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI4804CDY-T1-GE3

SOP8

VISHAY/威世

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SI4804CDY-T1-GE3IC

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI4816BDY-T1-E3

sop8

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI4800DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 9A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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