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SI4812DY-E3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:57.17 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI4816BDY-T1-E3

SOP8

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI4816BDY-T1-E3

sop8

VISHAY/威世

SI4831-B30-GUR

SSOP24

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI4831-B30-GUR无线发射

SSOP24

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI4812DY-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 9A 2.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI4812DY-E3供应商 更新时间2026-1-24 11:10:00