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SI4486EY-T1-E3	文件：621.08 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：621.08 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SI4486EY-T1
功能描述：
MOSFET 100V 7.9A 3.8W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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