| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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VISHAYSO8 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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3年
留言
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VISHAYSOP-16 |
20000 |
22+ |
原装 品质保证 |
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1年
留言
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Vishay(威世)N/A |
50000 |
26+ |
原装 |
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13年
留言
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VISHAYSOP8 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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1年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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12年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6540 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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7年
留言
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VISHAYSOP-16 |
12800 |
24+ |
原装正品现货支持实单 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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4年
留言
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VISHAY/威世SO8 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
12800 |
23+ |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
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16年
留言
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VISHAYSOP8 |
65480 |
23+ |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
12500 |
25+ |
全新原装现货 假一赔十 |
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12年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
12500 |
25+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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14年
留言
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SAMSUNG裸片 |
20000 |
26+ |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
7500 |
25+ |
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1年
留言
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VISHAYSOP-8 |
4683 |
1821+ |
原装正品,支持实单 |
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11年
留言
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VISHAYSOP-16 |
10000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
SI4532ADY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4532ADY-T1-E3价格
SI4532ADY-T1-E3价格:¥1.7465品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4532ADY-T1-E3多少钱,想知道SI4532ADY-T1-E3价格是多少?参考价:¥1.7465。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4532ADY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4532ADY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4532ADY-T1-E3报价。
SI4532ADY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4532ADY功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
























