| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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4年
留言
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VISHAYSO8 |
8540 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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VISHAYSO-8 |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势! |
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1年
留言
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VISHAYSO-8 |
16800 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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14年
留言
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VISHAYSO-8 |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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16年
留言
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Vishay(威世)原装 |
96860 |
26+ |
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Vishay(威世)_SI4532ADY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有订 |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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8年
留言
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HYSOP-8 |
16800 |
24+ |
绝对原装进口现货 假一赔十 价格优势!? |
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5年
留言
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Vishay Siliconix8SO |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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3年
留言
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SOP-8N/A |
20000 |
22+ |
只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
17715 |
23+ |
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12年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
33288 |
新年份 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
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VISHAY/威世8P |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
26+ |
芯为深仓现货 |
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12年
留言
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VISHAYSOP |
12000 |
26+ |
全新进口原装正品假一罚十 |
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8年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
25000 |
24+ |
一级专营品牌全新原装热卖 |
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8年
留言
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SILICONIXSO-8 |
6010 |
24+ |
只做原装正品 |
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6年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
SI4532AD采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4532ADY-T1-E3价格
SI4532ADY-T1-E3价格:¥1.7465品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4532ADY-T1-E3多少钱,想知道SI4532ADY-T1-E3价格是多少?参考价:¥1.7465。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4532ADY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4532ADY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4532ADY-T1-E3报价。
SI4532ADY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4532ADY功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
























