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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI4532ADY-T1

VISHAYN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAYSO8

8540

24+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市凯睿晟科技有限公司

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BychipSOP8

10000

23+

高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市创新迹电子有限公司

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VISSOP8

20000

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公司只做原装 品质保证

深圳市英科美电子有限公司

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SISOP-8

26800

2526+

只做原装正品,为客户做到零风险

深圳市英科美电子有限公司

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SISOP-8

26800

2223+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

27868

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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市纳福半导体有限公司

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SISOP-8

7500

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原装正品,支持实单

深圳市能元时代电子有限公司

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VISSOP8

12800

23+

公司只有原装 欢迎来电咨询。

深圳市盈慧通电子有限公司

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VISSOP8

1540

26+

电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价!

深圳市一线半导体有限公司

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SI

9467

24+

深圳市信科微科技有限公司

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VISSOP8

1540

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原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单

京海半导体(深圳)有限公司

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SISOP8

10000

25+

原装现货假一罚十

深圳市英卓尔科技有限公司

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SISOP8

2960

20+

诚信交易大量库存现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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SISOP-8

111

23+

深圳市安富世纪电子有限公司

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SISOP-8

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市威尔健半导体有限公司

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SISOP-8

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI4532ADY-T1-E3

Vishay(威世)原装

96860

26+

1+
:¥123456

Vishay(威世)_SI4532ADY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有订

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

5000

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原装进口,免费送样品!

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYSOP8

2500

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

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SI4532ADY-T1-E3价格

SI4532ADY-T1-E3价格:¥1.7465品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI4532ADY-T1-E3多少钱,想知道SI4532ADY-T1-E3价格是多少?参考价:¥1.7465。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4532ADY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4532ADY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4532ADY-T1-E3报价。

SI4532ADY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF

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SI4532ADY功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4532ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4532ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4532ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4532ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube