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深圳市汇莱威科技有限公司

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SI4490DY

VISHAY/威世SO8

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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SI4490DY

VISHAY/威世SO-8

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原装正品 可含税交易

深圳市硅宇电子有限公司

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SI4490DY

Vishay(威世)

62684

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二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

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VISHAYSOIC-8

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深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世

25380

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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VISHAY(威世)SOP-8

9555

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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市艾宇特电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

9850

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市金芯阳科技有限公司

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VISHAY原厂原装

10000

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进口原装现货假一赔十

深圳权泰科技有限公司

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VISHAYSOP8

5000

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原装现货实单必成 只做原装!

深圳市讯顺达科技有限公司

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全新原装公司现货

深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

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原装正品 可含税交易

深圳市卓越微芯电子有限公司

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VISHAYSOP8

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市硅宇电子有限公司

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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

61591

2249+

二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

深圳市得捷芯城科技有限公司

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SI4490DY

Vishay(威世)标准封装

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原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期

深圳市威雅利发展有限公司

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VISHAYSOP8

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市威尔健半导体有限公司

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NEXPERIA/安世SOT108-1

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终端可以免费供样,支持BOM配单!

深圳和润天下电子科技有限公司

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VISHAY/威世SMD-8

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百分百进口原装环保整盘

中科航电(深圳)电子集团有限公司

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SI4490DY-T1-GE3价格:¥2.9277品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI4490DY-T1-GE3多少钱,想知道SI4490DY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.9277。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4490DY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4490DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4490DY-T1-GE3报价。

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SI4490DY 深圳市鑫欧美电子有限公司

SI4490DY 品牌:VISHAY 封装:SOP 数量:3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生 QQ:1483286993/592

SI4490DY 深圳市鑫欧美电子有限公司

型号:SI4490DY 品牌:VISHAY 封装:SOP 数量:3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生,QQ1483286993/592442707 h

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SI4490DY功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4490DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V(D-S) MOSFET

SI4490DY_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V(D-S) MOSFET

SI4490DY-E3功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4490DY-T1功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4490DY-T1-E3功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4490DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube