| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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VISHAYSOP8 |
25000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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VISHAYSOIC-8 |
8900000 |
25+ |
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原厂直接发货进口原装 |
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11年
留言
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VISHAY原厂原装 |
10000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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12年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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13年
留言
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SI8P |
2987 |
25+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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14年
留言
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VISHAYSOP |
19567 |
26+ |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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17年
留言
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VISHAY |
5000 |
24+ |
有部份现货 |
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10年
留言
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VishayTSSOP16 |
86720 |
26+ |
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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17年
留言
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VISHAYSOP8 |
770 |
24+ |
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4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情请咨询 |
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6年
留言
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Vishay(威世)封装 |
500000 |
25+ |
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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10年
留言
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VISHAYSOP8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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11年
留言
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VISHAYSOIC8 |
8500 |
24+ |
进口原装正品 现货特价出 |
SI4490DY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4490DY图片
SI4490DY-T1-GE3价格
SI4490DY-T1-GE3价格:¥2.9277品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4490DY-T1-GE3多少钱,想知道SI4490DY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.9277。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4490DY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4490DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4490DY-T1-GE3报价。
Si4490DY资讯
SI4490DY 深圳市鑫欧美电子有限公司
SI4490DY 品牌: VISHAY 封装: SOP 数量: 3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生 Q Q: 1483286993/592
SI4490DY 深圳市鑫欧美电子有限公司
型号: SI4490DY 品牌: VISHAY 封装: SOP 数量: 3000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC,二、三极电容,电阻,电容 电话:0755-82708963/33167061张小姐,黄先生,QQ1483286993/592442707 h
Si4490DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4490DY功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V(D-S) MOSFET
SI4490DY_13制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V(D-S) MOSFET
SI4490DY-E3功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1-E3功能描述:MOSFET 200V 4A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4490DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































